三星被曝最快 2024 年底前開始安裝首臺 High-NA EUV 光刻機

三星將于 2024 年第 4 季度至 2025 年第 1 季度期間,安裝首臺來自 ASML 的 High-NA EUV 光刻機,并預估 2025 年年中投入使用。

8 月 16 日消息,首爾經(jīng)濟日報昨日(8 月 15 日)報道,三星將于 2024 年第 4 季度至 2025 年第 1 季度期間,安裝首臺來自 ASMLHigh-NA EUV 光刻機,并預估 2025 年年中投入使用。

三星被曝最快 2024 年底前開始安裝首臺 High-NA EUV 光刻機

報道稱三星將在其華城園區(qū)內安裝首臺 ASML Twinscan EXE:5000 High-NA 光刻機,主要用于研發(fā)目的,開發(fā)用于邏輯和 DRAM 的下一代制造技術。

三星計劃圍繞高 High-NA EUV 技術開發(fā)一個強大的生態(tài)系統(tǒng):除了收購高 NA EUV 光刻設備外,三星還與日本 Lasertec 公司合作開發(fā)專門用于 High-NA 光掩膜的檢測設備。

有媒體報道,三星已經(jīng)購買了 Lasertec 的 High-NA EUV 掩膜檢測工具 Actis A300。

三星電子半導體研究所的 Min Cheol-ki 博士在 2024 年光刻與圖案化研討會上表示:“與傳統(tǒng)的 [EUV 專用工具] 相比,使用 [High-NA EUV 專用工具] 檢測半導體掩膜可將對比度提高 30% 以上”。

報道還稱三星還與光刻膠制造商 JSR 和蝕刻機制造商東京電子公司合作,準備在 2027 年之前將高納 EUV 工具投入商業(yè)應用。

三星還與新思科技(Synopsys)合作,在光掩膜上從傳統(tǒng)的電路設計轉向曲線圖案。這一轉變有望提高電路壓印在晶片上的精度,這對進一步完善工藝技術至關重要。

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